Numéro de produit du fabricant:
TQM110NB04DCR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TQM110NB04DCR RLG-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Description détaillée:
Mosfet Array 40V 10A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Inventaire:
7712 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12955143
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SOUMETTRE
TQM110NB04DCR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
40V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta), 50A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1354pF @ 20V
Puissance - Max
2.5W (Ta), 58W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFNU (5x6)
Numéro de produit de base
TQM110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
1801-TQM110NB04DCRRLGTR
TQM110NB04DCR
1801-TQM110NB04DCRRLGCT
1801-TQM110NB04DCRTR-DG
1801-TQM110NB04DCRRLGDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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